Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
A 300-mm wafer-level three-dimensional integration (3DI) process using tungsten (W) through-silicon vias (TSVs) and hybrid Cu/adhesive wafer bonding is demonstrated. The W TSVs have fine pitch (5 mum), small critical dimension (1.5 mum), and high aspect ratio (17:1). A hybrid Cu/adhesive bonding approach, also called transfer-join (TJ) method, is used to interconnect the TSVs to a Cu BEOL in a bottom...
Metal ions embedded in dielectric films may play an important role in the reliability of advanced interconnect systems. In this talk, we will discuss the generation and drift of different metal ions such as Cu, Ta, and Ti into the dielectric materials from gate electrodes under an external electric field at elevated temperatures. Some strategies to eliminate the generation of metal ions will also...
Electrical resistivity of thin copper films sputtered onto silicon dioxide is measured in real time. The electrical resistivity is shown to strongly depend on the film's thickness, for thicknesses below the bulk mean free path of copper (390 /spl Aring/). Furthermore, observations are made on the relaxation of the electrical resistivity after the growth (by sputtering) is terminated. Both the magnitude...
Adhesion between copper and n-type parylene (PA-N) has been studied. The PA-N film was deposited on Si(100) substrate by vapor deposition polymerization (VDP), and the Cu film was deposited on PA-N by plasma partially ionized beam (Plasma PIB) as well as other deposition techniques as a comparison. The adhesion strength was measured by 90° peel test after the sample was cleaved into a strip to define...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.