Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Physical and electrical characteristics of HfTaTiO gate dielectric have been systematically investigated for the first time. HfTaTiO has a higher dielectric constant (kappa~56) and acceptable barrier height to Si (phi=1.0eV), and ultra-thin EOT(~9Aring) has been achieved. HfTaTiO dielectric shows higher crystallization temperature (900degC), reduced hysteresis, 50% higher mobility and improved Vth...
Germanium p-MOSFETs with a thin high-k dielectric (EOT/spl sim/1.6 nm) were fabricated on bulk Ge and epitaxial germanium-on-silicon substrates. These devices exhibited sub-90 mV/decade subthreshold swing and low gate leakage. The IV and CV characteristics achieved in this work allow for accurate extraction of important device parameters such as transconductance (Gm) and low-field mobility. Results...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.