Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
We report a record setting low NMOS contact Rc of 2e−9 Ωcm2 with an all-silicon based solution. The ultra-low contact resistivity of Ti/Si system of 2e−9 Ωcm2 has been demonstrated with Highly Doped Si:P (HD Si:P) EPI layer which is compatible with FinFET S/D structures combined with millisecond laser anneal activation (DSA). Additionally, we show the pathway to further improve contact resistivity...
The group-IV-based spintronics is extremely appealing, due to high compatibility with mainstream Si-based technology [1]. Since the discovery of giant magnetoresistance (MR) from Fe/Cr multilayers [2], extensive studies of Fe-based heterogeneous structures have been performed for spintronic applications. To sum up, taking into account the potential application of group-IV-based spintronics and the...
High-quality superconducting K $$_{x}$$ x Fe $$_{y}$$ y Se $$_{2}$$ 2 single crystals were synthesized using an easy one-step method. Detailed annealing studies were performed to make clear the phase formation process in K $$_{x}$$ x Fe $$_{y}$$ y Se $$_{2}$$ 2 . Compatible observations were found in temperature-dependent X-ray diffraction...
In this paper, Si-MOS capacitors with HfTiO/SiON stack gate dielectric were fabricated by using Si-surface thermal passivation in NO and N2O ambients respectively and reactive co-sputtering technology. Results show that the sample pretreated in NO ambient has excellent interface properties, low gate leakage current density and high reliability. This is attributed to the formation of a SiON interlayer...
The paper reports the impact of TiN metal gate composition (Ti-rich vs. N-rich) and preparation methodology (atomic layer deposition-ALD vs. physical vapor deposition -PVD) on its thermal stability with HfO2 high-K dielectric, via both physical characterization (X-ray Photoelectron Spectroscopy-XPS, High Resolution TEM combined with Electron Energy Loss Spectroscopy-EELS), and electrical characterization...
Atomically flat silicon surface constructed with atomic terraces and steps is realized by pure argon ambience annealing at 1200degC on (100) crystal orientation large diameter wafers with precisely controlled tilt angle. Only the radical reaction based insulator formation technology such as oxidation utilizing oxygen radicals carried out at low temperature (400degC) can preserve the atomically flatness...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.