Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
We describe novel AlGaN-GaN metal-oxide-semiconductor heterostructure field-effect transistors (MOSHFETs) with record high power-voltage efficiencies (PVE = RF power/Drain bias), up to 0.43W/V-mm at 2 GHz. The RF powers of 15 W/mm at 35 V (PVE=0.43 W/V-mm) and 20 W/mm at 55 V (PVE= 0.36W/V-mm) were measured, which are approximately 50% higher than the previously reported values of PVE=0.25 W/V-mm...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.