Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
The dependency of Ti atom composition in Ti-C mixed electrodes on Ohmic characteristics for AlGaN/GaN structure is examined by elucidating the role of both Ti and C atoms. Owing to AlGaN surface reduction by reaction with C atoms with thermal treatment, an enhanced reaction of Ti atoms and AlGaN layer has been confirmed. The border of reactive layer and the remaining AlGaN layer has shown rather uniform...
Metal induced effects on electrical characteristics in AlGaN/GaN Schottky HEMT are reported. Focus is given to the collapse of drain current attributed to Schottky metal. Of particular interest for discussion is that TiN gate can suppresses the collapse of drain current compared with conventional Ni gate. Nitrogen concentrations in TiN gate are found to be correlated to the current collapse, indicating...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.