Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Low phase noise 5 GHz oscillator is designed with 90 nm silicon complementary metal oxide semiconductor (Si-CMOS) process. To achieve low phase noise, we used high Q value film bulk acoustic resonator (FBAR) instead of conventional LC resonant circuit. FBAR was mounted by using stud bump bonding instead of wire bonding to reduce parasitic inductance. This FBAR oscillator has phase noise of lower than...
Film bulk acoustic resonator (FBAR) was fabricated using AlN(0002) film. We achieved the high oriented AlN(0002) film through the metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) method on Ru/Ta bottom electrode. But thermal stress of AlN film was a problem in the high temperature MOCVD process over 1000degC. To reduce the thermal stress of AlN film, the low temperature AlN film growth was needed....
We have successfully fabricated 5 GHz band FBAR using aluminium nitride (AlN) film by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) method on SiO2/Si substrate. However, large spurious existed between resonant frequency and antiresonant frequency on admittance characteristics of prototype FBAR. We analyzed spurious vibration mechanism using three-dimensional (3-D) simulation. Spurious vibration...
Film bulk acoustic resonator (FBAR) was fabricated using high oriented AlN(0002) film obtained through the metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) method. We used the Ru/Ta bottom electrode to improve the FBAR resonant characteristics because Ru has a high acoustic impedance and a hexagonal crystalline that is effective to obtaine the high oriented AlN(0002) film. The Ru/Ta electrode had good...
Film bulk acoustic resonator (FBAR) using AlN film was fabricated. Metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) was used to obtain high oriented AlN (0002) film. The unloaded Q factor (Qscrr) of fabricated FBAR was improved by reduction of Mo electrode resistance and optimization of cavity etching process. Since Mo nitridation degraded Mo resistance, reaction time between Mo and NH3 became shorter...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.