Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
A 0.13 mum SiGe BiCMOS technology for millimeter wave applications is presented. This technology features high-speed HBTs (fT=240 GHz, fmax=330 GHz, BVCEO=1.7 V) along with high-voltage HBTs (fT=50 GHz, fmax=130 GHz, BVCEO=3.7 V) integrated in a dual-gate, triple-well RF-CMOS process. Ring oscillator gate delays of 2.9 ps, low-noise amplifiers for 122 GHz, and LC oscillators for frequencies above...
A wideband amplifier up to 50 GHz has been implemented in a 0.25 mum, 200 GHz ft SiGe BiCMOS technology. Die size was 0.7 times 0.73 mm2. The two-stage design achieves more than 11 dB gain over the whole 20 to 50 GHz band. Gain maximum was 14.2 dB at 47.5 GHz. Noise Figure was lower than 9 dB up to 34 GHz and a current of 30 mA was drawn from a 4 V supply. To the author's best knowledge this is the...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.