Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
A 0.13 mum SiGe BiCMOS technology for millimeter wave applications is presented. This technology features high-speed HBTs (fT=240 GHz, fmax=330 GHz, BVCEO=1.7 V) along with high-voltage HBTs (fT=50 GHz, fmax=130 GHz, BVCEO=3.7 V) integrated in a dual-gate, triple-well RF-CMOS process. Ring oscillator gate delays of 2.9 ps, low-noise amplifiers for 122 GHz, and LC oscillators for frequencies above...
The paper presents two types of 122 GHz low-noise-amplifiers (LNA) fabricated in SiGe BiCMOS technology. The amplifier design takes advantage of a novel transmission line structure with thick metal ground-shield on top of the MMIC. The circuit is a two-stage cascode topology utilizing transmission lines for input, output and inter-stage matching. The amplifiers are designed for high gain, minimum...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.