Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
We form gallium-doped poly-Si:Ga/SiO2 passivated contacts on n-type Czochralski (n-Cz) wafers using ion implantation of Ga and Ga-containing spin-on dopants. After annealing and passivation with Al2O3 , the contacts exhibit $iV_{{\rm{oc}}}$ values of >730 mV with corresponding $J_{{\rm{oe}}}$ values of $<{\text{5 fA/cm}}^{2}$. These are among the best-reported values for p-type poly-Si/SiO...
Hydrogen (H) released during the annealing of hydrogenated amorphous silicon nitride (SiNx:H) films diffuses through the crystalline silicon and passivates the defects. This study shows that the stable H isotope deuterium (D), which is released during the annealing of deuterated amorphous silicon nitride (SiNx:D) films, diffuses through the crystalline silicon and is subsequently captured by a thin,...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.