Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
In this paper, we show the shape evolution of GaAs islands which grow unconventionally from underneath an array of SiO2 nanodisks. The growth mechanism consists of catalytic growth and facet formation.
We investigate a series of Ga(AsSb)/GaAs/AlGaAs quantum wells, that show an additional inplane confinement. This is attributed to the formation of self-organized GaAsSb quantum-islands during growth with confinement energies of several hundred meV.
InGaAs light emitting diodes with extremely high light extraction efficiency are fabricated by monolithically integrating the light emitting region with a suspended GaAs hemispherical lens. This design is being developed for electroluminescence refrigeration applications.
An InGaAs light emitting diode monolithically integrated with a suspended lens is proposed as a prototype semiconductor electroluminescence refrigeration device. Simulations predict that a temperature drop up to 6degC is achievable in this device.
In spite of the almost ideal variation of the radiative current of 1.3 mum GaAsSb/GaAs-based lasers, the threshold current, Jth, is high due to non-radiative recombination accounting for 90% Jth near room temperature. This also gives rise to low T0 values ~60 K close to room temperature, similar to that for InGaAsP/InP
We report the first demonstration of CW operation of GaAsP/GaAs/GaAsSb QW lasers above room temperatures and show that the strain compensation improves the overall device performance
Room-temperature continuous wave operation of antimonide-based long wavelength VCSELs is reported. Power outputs up to 200 muW and wavelengths up to 1290 nm are achieved, making them suitable for optical data-communications applications
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.