Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Silicon carbide (SiC) power switches such as JFET or MOSFET have demonstrated their superior advantages over silicon (Si) power devices such as IGBT, especially in terms of significantly reduced switching losses. A major issue facing large scale adoption of SiC power devices is still the much higher cost. This paper proposes that Si/SiC hybrid power module (HPM) should be a natural next step moving...
Silicon carbide (SiC) power switches such as MOSFET or JFET have demonstrated their superior advantages over silicon (Si) power devices such as IGBT, especially in terms of significantly reduced switching losses. A major issue facing large scale adoption of SiC power devices is still the much higher cost. This paper proposes that Si/SiC hybrid switch should be a natural next step moving forward for...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.