Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Very high mobility of 149∼189 cm2/Vs, large on-to-off current ratio (ION/IOff) of >7 orders of magnitude, fast turn-on sub-threshold swing of 110 mV/decade, and low power operation at 2∼2.5 V were achieved in SnO2 TFT device at an ultra-thin SnO2 thickness of 4.5 nm. The device mobility of SnO2 TFT is higher than the best ZnO-based TFTs and CVD-grown multi-layers MoS2 MOSFETs. The reached mobility...
To increase the transistor's current (ION) and decrease the off-state leakage (IOFF), high-mobility, wide-bandgap and ultra-thin body channel materials are crucial for display, sub-10 nm MOSFET, and brain-mimicking 3D IC. The wide-bandgap ultra-thin-film SnO2 nMOSFET has achieved a high ION/IOFF of >107, and high mobility of >0.5X SiO2/Si device value operated at 1 MV/cm. The high mobility TFT...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.