Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
We successfully developed fabrication process of 16nm InGaAs channel multi gate MOSFETs with regrown source and drain by using MOVPE. This device showed 707 µA/µm of Id.max and 498 µS/µm of gm.max. On-off ratio was 103 @ Vd = 0.5V.
An InP/InGaAs composite channel MOSFET with InGaAs source is fabricated, this InGaAs source is selectively regrown by metalorganic vapor phase epitaxy. The maximum drain current of MOSFET (at VD = VG = 3 V) is 360 mA/mm at room temperature with the Si-doped channel, 20-nm-thick SiO2 gate insulator and 2 mum channel length. However, the drain current of regrown MOSFET is smaller than MOSFET without...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.