Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
An atomic Monte-Carlo simulator of Conductive Bridge Random Access Memory (CBRAM) is developed to investigate the microscopic properties of filament growth and dissolution during Forming/SET and RESET processes. The cluster growth during nucleation correlated with electrochemical reactions and cations transportation are included. The impacts of the critical material parameters on the geometry of conductive...
Excellent rectifying characteristics are demonstrated in the fab-friendly n-Si/HfO2/Ni/TiN devices with rectification ratio of >107 and the driving current of 1mA as a 1D-like selector. The rectified unipolar switching behaviors are demonstrated in the 1D1R cell structured with a diode-like device of n-Si/HfO2/Ni/TiN (1D) and a unipolar RRAM of n+-Si/HfOx/Ni/TiN (1R). Based on the measured I–V...
A new operation scheme on oxide-based resistive-switching devices [resistive random access memory (RRAM)] is proposed to improve the controllability of switching processes in order to achieve an improved memory performance. The improved device-to-device and cycle-to-cycle uniformity, reduced RESET current, and adjustable RHRS/RLRS ratio are demonstrated in the HfOx-based RRAM devices by using the...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.