Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
We have identified the microscopic structure of hydrogen donors in hydrogenated ZnO samples using near-edge x-ray absorption fine structure (NEXAFS) spectroscopy and ab initio multiple scattering calculations. We present the evidence of hydrogen occupying interstitial bond-centred locations where hydrogen atoms are attached to the host O atoms in bonds that are not parallel to the c axis. This work...
Formation of defects in hexagonal boron nitride (h-BN) under low-energy argon or nitrogen ion bombardment has been studied by near-edge X-ray absorption fine structure (NEXAFS) around boron and nitrogen K-edges and X-ray photoemission spectroscopy (XPS) from B1s and N1s core levels. Breaking of B–N bonds and formation of nitrogen vacancies have been identified in the B K-edge NEXAFS and B1s XPS measurements,...
We have studied formation of molecular nitrogen under low-energy nitrogen bombardment in a range of compound semiconductors by synchrotron-based X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) around N 1s core-level and near-edge X-ray absorption fine structure (NEXAFS) around N K-edge. We have found interstitial molecular nitrogen, N 2 , in all samples under consideration. The presence of N 2...
Interaction of low-energy nitrogen ions (0.3–2keV N 2+ ) with GaAs (100) surfaces has been studied by X-ray photoemission spectroscopy (XPS) around N 1s and Ga 3d core-levels and near-edge X-ray absorption fine structure (NEXAFS) around the N K-edge, using synchrotron radiation. At the lowest bombardment energy, nitrogen forms bonds with both Ga and As, while Ga-N bonds form preferentially...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.