Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
When two electrons are bound together to form a pair in a superconductor (SC), they can have parallel and antiparallel spin configurations, depending on the spatial parity. The overall anti-symmetry of the wave function requires that even spatial parity (s, d …) must have odd spin (singlet) while odd spatial parity (p, f …) must have even spin (triplet). The possibility of triplet superconductivity...
Both unipolar and bipolar resistive switching behaviors are demonstrated and investigated in the TaTiN/HfOx/Pt structured RRAM devices. A physical model based on the recombination among the electron-depleted oxygen vacancies (VO2+) and the oxygen ions (O2-) released from the TaTiN electrode is proposed to clarify the co-existed bipolar and unipolar resistive switching effect. In the proposed physical...
Excellent rectifying characteristics are demonstrated in the fab-friendly n-Si/HfO2/Ni/TiN devices with rectification ratio of >107 and the driving current of 1mA as a 1D-like selector. The rectified unipolar switching behaviors are demonstrated in the 1D1R cell structured with a diode-like device of n-Si/HfO2/Ni/TiN (1D) and a unipolar RRAM of n+-Si/HfOx/Ni/TiN (1R). Based on the measured I–V...
This paper records a successful application of linear parameter-varying (LPV) technique to energy management upon DC electric scooters (ES). Postulating Dynamic Duality, we identify the ES dynamics into a LPV plant that captures the nonlinearity, whereof the steady and transient responses perfectly match with the measured data. Incorporation of this LPV plant with per-distance performances upon energy...
A new operation scheme on oxide-based resistive-switching devices [resistive random access memory (RRAM)] is proposed to improve the controllability of switching processes in order to achieve an improved memory performance. The improved device-to-device and cycle-to-cycle uniformity, reduced RESET current, and adjustable RHRS/RLRS ratio are demonstrated in the HfOx-based RRAM devices by using the...
We have fabricated efficient bulk heterojunction organic photovoltaic (OPV) device based on poly(2-methoxy-5-(2'-ethylhexyloxy)-1,4-phenylenevinylene) (MEH-PPV) with copper(II) phthalocyanine (CuPc) as donor and [6,6]-phenyl C61-butyric acid methyl ester (PCBM) as acceptor. The power conversion efficiency of the MEH-PPV/PCBM OPV device with 15% CuPc (1.41%) is increased by 12% compared with that of...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.