Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Transistor sizing to control random mismatch is investigated. Input offset voltage of 65 nm bulk CMOS SRAM sense amplifiers are measured to analyze NMOS and PMOS threshold voltage (Vtn, Vtp) variation effects and compare them with statistical models and Pelgrom model predictions. A linear statistical response surface model (RSM) relating input offset to Vtn and Vtp is shown to agree well with measured...
The well-known Pelgrom model (S. Ray and B. Song, 2006) has demonstrated that the variation between two devices on the same die due to random mismatch is inversely proportional to the square root of the device area: sigma ~ 1/sqrt(Area). Based on the Pelgrom model, analog devices are sized to be large enough to werage out random variations. Importantly, with CMOS scaling, variations due to random...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.