Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Noise properties of the thin films (Ge2Sb2Te5)1−xBix were investigated. Changing the amorphous film on the crystal structure was carried out by varying the voltage to 10 V on the resistor sample in the isothermal conditions at the constant temperature. The temperature varied from 290 to 420 K with 10 K increasing step. It has been shown that introduction of Bi influences the properties of the phase...
A measuring system for the spectroscopy of the low-frequency noise of semiconductor diode structures to investigate noise generation mechanisms is considered. The constructional and methodological features of automated equipment for measuring and investigating noise in semiconductor structures are presented.
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.