Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
In this paper, we propose an enhanced efficiency 4H-SiC U-shaped trench-gate MOSFET (UMOSFET) structure. The proposed device structure takes an advantage of a p+-polySi/SiC shielded region to reduce the on-state specific resistance. We show that the heterojunction diode formed by the p+-polySi and the n-drift regions improves the body diode effect, and thereby, reduces the reverse recovery charge...
A lateral double-diffused MOSFET with double oxide trenches in silicon-on-insulator (SOI) technology is presented (DOT SOI LDMOS). The oxide trenches can cause multiple-directional depletion in the drift region. This can reshape electric field distribution and improve the reduced surface field effect (RESURF). Laterally, the top oxide trench can increase the electric field due to the low permittivity,...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.