Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
We expanded our analytical compact model for the drain current of undoped or lightly doped nanoscale FinFETs, in order to predict and decompose variability in the electrical characteristics of FinFETs. The model has been evaluated by comparison to TCAD simulated devices with predefined variability. Successful application to experimental data of FinFETs with fin width Wfin= 15 nm, gate length LG =30...
Polycrystalline silicon thin-film transistors (p-TFTs) can significantly be improved in terms of their performance with the bridged grain structure (BG TFTs) by forming lines with higher doping concentration (5×1015–1016 cm−3) across the active channel, equally spaced at a distance close to the average grain size.
The performance of n-channel symmetrical double-gate (DG) polycrystalline silicon thin-film transistors (polysilicon TFTs) has been investigated with 2-D device simulations. The simulations were conducted based on device characteristic properties, extracted from fabricated single-gate (SG) polysilicon TFTs. Through fitting of the test SG devices, a unique set of density of states was identified, that...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.