Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
An unrecoverable degradation of gate leakage is observed in AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs) under high OFF‐state drain bias stress up to 200 V. Current‐mode deep‐level transient spectroscopy is developed for in situ observation of evolution of traps in the HEMTs before and after stress. It is revealed that two discrete traps, with activation energy of 0.54 and 0.69 eV, have converted...
In this paper, we discuss how to implement the self heating and aging models with TMI. Various examples about self heating and aging simulations with TMI methodology are shown in this paper. Without trading-off the accuracy, the one with proposed TMI approach for self heating simulations takes much shorter simulation time.
We have performed constant voltage stress (CVS) tests on GaN-on-SiC HEMT to investigate the drain current drift. Two kinds of current drift behavior are observed in CVS. The off-state drain voltage step stress tests are carried out to confirm the electric field dependent current drift. A critical voltage for drain current recovery is observed. We suggest that the recovery of drain current is due to...
Using simulation to assess the impacts of various reliability mechanisms to circuit performance has become prevail for advanced technologies due to smaller headroom (=Vdd-Vth) and less design margins. This paper reviews existing circuit aging simulation approaches with focus on TMI. The limitations of aging models are also discussed so that reliability simulations can be executed more correctly with...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.