Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Compared with Si MOSFET, the GaN FET devices have advantages in the electrical characteristics, thermal properties and mechanical properties. This paper compares electrical properties of the GaN FET and Si MOSFET. Evaluation of the GaN FET based on flyback-forward high gain DC/DC converter at soft-switching condition are presented in detail. In addition, the power loss analysis of GaN FET based flyback-forward...
A 14-bit Column-level ADC for Infrared Focal Plane Array (IRFPA) is proposed in this paper. Correlated switch structure is designed, which helps to cancel the offset generated by injected charge and then achieves accurate sampling and holding. Odd-even structure is realized to make longer converting time after sampling. Comparators with two-stage pre amplifiers use low power supply voltages, which...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.