Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
The current paper aims to put forward the arrangement of a new high speed, low power synchronously clocked NOR-based JK flip-flop embracing modified Gate Diffusion Input (GDI) procedure in 45nm technology. The propounded design on comparison with a synchronously clocked NOR-based JK flip-flop employing the traditional CMOS transistors, transmission gates and Complementary Pass-Transistor Logic (CPL),...
This paper puts forward the design of a low power, high speed and energy efficient XOR gate comprising only 3 transistors in 45nm technology using the conception of Mixed Threshold Voltage (MVT) methodology. On comparison with the conventional CMOS transistors, transmission gates and Complementary Pass-Transistor Logic (CPL), the proposed design showed a substantial amount of depreciation in Average...
This paper proposes the design of a low power, high speed, energy efficient full adder using modified Gate Diffusion Input (GDI) and Mixed Threshold Voltage (MVT) scheme in 45nm technology. The proposed design on comparison with the traditional full adder composed of CMOS transistors, transmission gates and Complementary Pass-Transistor Logic (CPL), respectively, exhibited a considerable amount of...
This paper proposes the design of an energy efficient, high speed and low power full subtractor using Gate Diffusion Input (GDI) technique. The entire design has been performed in 150nm technology and on comparison with a full subtractor employing the conventional CMOS transistors, transmission gates and Complementary Pass-Transistor Logic (CPL), respectively it has been found that there is a considerable...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.