Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
The hole mobility characteristics of 〈110〉 /(100)-oriented asymmetrically strained-SiGe p-MOSFETs are studied. Uniaxial mechanical strain is applied to biaxial compressive strained devices and the relative change in effective hole mobility is measured. The channel Ge content varies from 0 to 100%. Up to -2.6% biaxial compressive strain is present in the channel and an additive uniaxial strain component...
Hole effective mobility and velocity have been extracted from measurements of sub-100 nm gate length strained Si0.45Ge0.55 channel MOSFETs. The hole effective mobility is observed to provide a 2.4x enhancement over Si hole universal mobility for channel lengths in the range of 200 to 80 nm. The extracted virtual source velocity is enhanced by 45% relative to Si control devices. These results are promising...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.