Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
This paper presents a detailed Monte Carlo study of the optimization of the dopant segregation (DS) layer in n-type Schottky barrier (SB)-MOSFET. It is shown that with a careful control of the DS layer parameters, dopant concentration (N$_{\rm {dop}}$ ), and length (L$_{\rm {dop}}$ ), the performance of the devices is significantly enhanced. The presence of the DS layer induces crucial effects in...
This paper presents a detailed study (using a 2D Monte Carlo simulator) of the impact on electronic transport of dopant segregation layers in Schottky Barrier MOSFETs operating under the linear regime. It is shown that with a careful control of the layer parameters the performance of the devices are significantly improved, with a boosting of the drive current and an important reduction of the linear...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.