Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Enhancement-mode AlGaN/GaN MOSHEMTs have been widely used in power electronic applications thanks to its superior electrical characteristics [1, 2]. Several methods have been proposed to fabricate E-mode AlGaN/GaN HEMTs like gate recess [3], F− doping at the AlGaN barrier layer [4], and p-type GaN cap layer [5]. Nevertheless, the high threshold voltage and high output current is hard to obtain simultaneously...
This paper uses nonvacuum ultrasonic spray pyrolysis deposition method to grow TiO2 for ultraviolet (UV) detection. The analyses of the materials like X-ray photoelectron spectroscopy, X-ray diffraction, and photoluminescence were investigated. The 600 °C annealing temperature is the optimum condition to obtain the anatase TiO2. The metal–semiconductor–metal (MSM) photodetectors (PDs) with 3-, 5-,...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.