Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
A split-gate (SG) flash memory cell has been embedded in a 65nm ground-rule high performance (HP) CMOS logic process with copper low K interconnects. A gate spacer processing sequence self-aligned (SA) process provides a reliability-robust cell and high degree of modularity with one extra mask to form the SG structure. The proposed cell is optimized for minimum module area overhead, high endurance...
Scaling limitations on NVM Stacked gate embedded into high-performance (HP) CMOS logic process will be reviewed with potential solutions identified. As technology continues its shrink path into 65 nm and beyond, scaling is becoming challenged due to the required high fields for write and erase (W/E) in stacked gate technology and the low leakage requirements for long term retention after cycling (RAC)...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.