Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
In this paper we present the design and realization of a high-power amplifier in grounded coplanar transmission line technology using 100 nm AlGaN/GaN dual-gate HEMTs. For the fabricated dual-stage amplifier a continuous wave saturated output power of up to 24.8 dBm (0.84 W/mm) at 63 GHz for 20 V drain bias was measured. A small-signal gain of more than 20 dB was achieved between 56 and 65 GHz.
In this paper we present the design and realization of a high-power amplifier in grounded coplanar transmission line technology using 100 nm AlGaN/GaN dual-gate HEMTs. For the fabricated dual-stage amplifier a continuous wave saturated output power of up to 24.8 dBm (0.84 W/mm) at 63 GHz for 20 V drain bias was measured. A small-signal gain of more than 20 dB was achieved between 56 and 65 GHz.
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.