Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
This paper presents a 700-V high-voltage laterally diffused metal-oxide–semiconductor (LDMOS) field-effect transistor with a p-body_Extension reduce surface field (RESURF) structure. Experimental results demonstrate that the low ON resistance and breakdown voltage (BV)- figure of merit approach the ideal Baliga's power law, in addition, breaks the quasi-saturation limitation with enhanced...
A two-stage drain current phenomenon in saturation region, named as Id-Vd hump, has been investigated in high-voltage NMOS transistor. A parasitic BJT turn-on enhanced Id-Vd hump model is proposed and characterized by using a two-dimensional device simulation. By optimizing channel/drift-region process conditions, both parasitic BJT and impact-ionization generation can be suppressed. Both measured...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.