Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Controlling factors of crystalline and electronic structures of carbon nanowalls were investigated in this study. Precise measurements and controls of radicals and ions in the plasma make the controlled syntheses of CNWs possible. For example, density ratios of hydrogen (H) and carbon atoms are essential to determine the density and height of CNWs. Ar+ ion irradiation is also important for vertical-growth...
In order to meet the demand for a greater storage capacity than digital versatile disks (DVDs), the Blu-ray disk (BD) format was proposed in 2002 to store high definition (HD) digital moving pictures for a long time. Since the structure of the BD is different from that of the DVD, the development of novel processes for BD media is required. In this study, we investigated the development of a UV-curable...
Nanocrystalline FeSi2 (NC-FeSi2) thin films were grown on Si(111) substrates by facing-targets DC sputtering at room temperature using FeSi2 targets. The NC-FeSi2 films showed hopping conduction behavior, which was confirmed by the temperature dependence of the electric conductivity. n-Type NC-FeSi2/p-type Si and n-type NC-FeSi2/i-Si/p-type Si heterojunctions were prepared to be employed as photovoltaics...
It was found that patterning of Ge and SiGe layers on Si(001) substrates principally leads to the strain anisotropy. The striped mesa structure readily induces elastic relaxation of the strained Ge and SiGe. Furthermore, a clear difference of strain relaxation mechanism depending on the dislocation introduction was confirmed. Introduction of 60deg dislocations is sensitive to the shape of patterned...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.