Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Broadmoor is a high secure psychiatric hospital divided into personality disorder (PD) and mental illness (MI) pathways. Whenever an incident occurs, it should be recorded. To better understand which factors influence the rate of incidents, such as diagnosis or intervention by medical and psychological staff, we examined the difference in the number of incidents recorded on weekdays versus weekends,...
Electroconvulsive therapy (ECT) is an effective NICE-approved treatment for severe depression, treatment-resistant mania and catatonia; the Royal College of Psychiatrists’ (RCPsych) guidelines also support its use fourth line for treatment-resistant schizophrenia.Evaluate the use of ECT at Broadmoor High Secure psychiatric hospital, focusing on the indications for its prescription and patients’ capacity...
In this paper, general analytical models for threshold voltage Vt and subthreshold slope S of single gate (SG), symmetric double gate (DG) and ground plane (GP) MOSFETs are proposed. The effect of channel strain on Vt?? S and drain induced barrier lowering (DIBL) is also investigated. The proposed model has been employed to calculate Vt?? S and DIBL for various MOS structures. Additionally simulation...
In this paper, analytical models for threshold voltage Vt and subthreshold slope S for symmetric double gate MOSFETs with high-k dielectrics are proposed. Analytical approaches for predicting Vt and S are developed by considering effects of fringing electric field, interface trap charge density and sidewall spacers. The proposed model has been employed to calculate Vt, S and drain induced barrier...
We have investigated the influence of gate bias voltage, applied to one of the two gates of the dual gate (DG) MOSFET, on the threshold voltage for different geometric dimensions, gate materials and drain to source voltage. In our studies we have employed the 2-D numerical device simulator ATLAS to determine the threshold voltage pertaining to DG MOSFETs. It is observed that the gate bias plays an...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.