Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Multi-Pixel Photon Counter (MPPC) is solid-state photon counting device consisting of a Geiger-mode APD and quenching resistor at the most basic level. To improve the total fill factor of a MPPC array, we have adopted new technologies such as metal quenching resistors (MQR), through-silicon vias (TSV), stealth dicing (SD), and highly accurate assembly techniques. We have confirmed the reliability...
The Multi-Pixel Photon Counter (MPPC) is a solid state photon counting device using Geiger mode APDs with self-quenching resistors. Recent advancements have been low dark current, good breakdown voltage uniformity and higher sensitivity in UV region. A 3×3mm – 4×4ch. monolithic array with silicon through vias has been developed for TOF-PET in order to decrease packaging dead space. We have also studied...
This paper presents a real-time electro-thermal simulation system which is a novel method of estimating the junction temperatures of power semiconductors. It calculates the junction temperatures of the power semiconductors in real time. The load current and the output voltage of an actual power conversion system are detected to calculate the instantaneous power loss. The detected output voltage is...
For future submicron MOSFETs, the realization of both high speed and high reliability is becoming more and more difficult. A conventional LDD structure is not adequately reliable for future submicron MOSFETs due to the high electric field in the vicinity of the drain junction. To decrease the electric field, gate-overlap LDD (GOLDD) structures have been proposed. However, these structures have larger...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.