Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
A novel gate first integration approach enabling ultra low-EOT is demonstrated. HfO2 based devices with a zero interface layer and optimized gate-electrode is used to achieve EOT and Tinv values of ˜5 Å and ˜8 Å respectively for both n and pMOS devices. The drive currents at Ioff=100 nA/μm with VDD=1 V is 1.4 mA/μm and 0.6 mA/μm (no SiGe source/drain) for n and pMOS respectively. The technology further...
In this work, the possibility of achieving low Vt nMOS FinFET transistors through the use of a La2O3 dielectric cap, and the ability of co-integrating La2O3 capping with medium and low Vt pFinFET devices are investigated. A significant improvement in device performance was shown for thin La2O3 capping with CVD TaN electrode.
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.