Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Thermal stability of strained SOI fabricated by Smart Cut technique was found to be high enough for the current Si process, particularly with SiO 2 protection films. The strain states, in-plane and out-of-plane lattice constants, were found not to change after annealing up to 1150 °C with SiO 2 films though those of thinner sSOI without the protection film gradually changed due to...
SiGe-free strained-Si-on-insulator (sSOI) is a promising structure for near-future CMOS circuits because it has benefits of both strained Si and SOI and it is free from problems relating to SiGe buffer layers. In this study, the strain state and thermal stability of sSOI substrates fabricated by the wafer bonding technique was investigated in detail by Raman spectroscopy and X-ray diffraction (XRD)...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.