Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Field effect mobility of the graphene transferred on the SiO2/Si substrate scatters in various reports and is limited to a typical value of ~10,000 cm2/Vs. Without understanding the interaction between graphene and SiO2, it is difficult to improve transport properties. This paper discusses effects of various plasma treatments and reoxidization of the SiO2 surface on graphene characteristics.
Based on the understanding of kinetic views of GeO desorption from GeO2/Ge stacks, thermodynamic control of the qualities of both GeO2 films and GeO2/Ge interfaces was demonstrated. It was proposed to characterize the effects of GeO desorption on GeO2 by the optical absorption. In addition, MIS band alignment was also discussed from the viewpoint of the effects of metal-GeO2 interaction at the top...
Graphene with a high carrier mobility of more than 10,000 cm2/Vs on SiO2 has attracted much attention as a promising candidate of future high-speed transistor materials. The contact resistance (RC) between graphene and metal electrodes is crucially important for achieving potentially high performance of graphene from both physics and practical viewpoints. This paper discusses metal/graphene contact...
This paper discusses a possible way to achieve better FET performances for both channels as well as a determination mechanism of the channel type. We investigated perfluoropentace (C22F14) (PF-pentacene) for n-channel and pentacene (C22F14) for p-channel FETs. On the basis of the energy level consideration for both channel material and S/D metals, we show a systematic guideline for achieving a better...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.