Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Grid-connected inverter is an important part of the grid-connected system. Compared with the traditional L or LC filter, LCL filter has a better high-frequency harmonic attenuation performance. However, LCL filter has resonant peak, which has a great influence on the stability of the system. This paper first analyzes the effect of passive damping method on the resonance peak; then a double closed-loop...
The increasing demand for high power density requires the power converter to operate in high switching frequency. Silicon carbide (SiC) power module is regarded as one of the most promising candidates for high-frequency applications due to the superior switching speed and low switching loss. With the increase of switching frequency, the switching loss will be the limiting factor of efficiency. Hence,...
The increasing demand for high power density requires power converter to operate in high switching frequency. SiC power module is regarded as one of the most promising candidates for high-frequency applications due to the superior switching speed and low switching loss. The conventional strategy to optimize switching loss is normally achieved by repetitive double pulse tests, which is time-consuming...
The trend towards SiC-based high power density converter requires to drive SiC MOSFET with high-speed switching. However, it tends to aggravate dv/dt effect due to the impact of parasitic parameters, resulting in shoot-through and high device stress in the half bridge configuration. In this work, a novel gate assisted circuit is proposed to eliminate shoot-through issue without compromise on switching...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.