Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
A two finger interdigitated metal-semiconductor-metal detector has been made using high-resistance Fe-implanted In/sub 0.53/Ga/sub 0.47/As material grown on InP:Fe. The fingers are 30 mu m long with 1 mu m width and 1.5 mu m separation. The breakdown voltage of the device is 5V. At 2 V bias, the device has a dark current of 250 nA and a DC responsivity of 0.375 A/W at 1.3 mu m. The full width at half...
For high-power microwave switching, PIN diodes are preferred over MESFETs due to their higher breakdown voltage, lower on-state resistance, and lower off-state capacitance. The authors have fabricated vertical PIN diodes using MeV Si/S coimplantation and keV Be/P coimplantation into undoped semi-insulating GaAs to obtain buried n/sup +/ and surface p/sup +/ regions respectively. An exploratory device...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.