Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
FinFET device, the promise one of all candidates which may extend CMOS scaling to 10nm and beyond, has attracted intensive research interest in recent years. In paralleling the process technology and circuit design methodology, a compact model which serves as a link between the process technology and circuit design is strongly demanded. In this paper, we first review the FinFET process technology...
ULTRA-SOI is a new generation of the channel-potential-based non-charge-sheet model for the dynamic depletion (DD) Silicon-On-Insulator (SOI) MOSFET, developed by TSRC group in EECS department of Peking University with many year efforts. The model is formulated with a fully physical derivation from the Poisson's equation to solve the potential along the vertical direction of the silicon film. The...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.