Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
In this paper we have used quantum mechanical transport approach to analyze electrical characteristics of silicon nanowire transistor and have compared the results with those obtained using semi classical Boltzmann transport model. The analyses employs a three dimensional simulation of Silicon nanowire transistor based on self consistent solution of Poisson, Schrodinger equations. Quantum mechanical...
In this paper we investigate the electrical characteristics of silicon nanowire transistors using a fully ballistic quantum mechanical transport approach to analyze rectangular silicon nanowire transistor. We investigate the impact of structural parameters of nano scale Gate all around Silicon nano wire transistor (GAA-SNWT)on its electrical characteristics in subthreshold regime. In particular we...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.