Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
A recent model provides risk estimates for the deprogramming of initially programmed floating gates via prompt charge loss produced by an ionizing radiation environment. The environment can be a mixture of electrons, protons, and heavy ions. The model requires several input parameters. This paper extends the model to include TID effects in the control circuitry by including one additional parameter...
A recent model provides risk estimates for the deprogramming, of initially programmed floating gates, via prompt charge loss produced by an ionizing radiation environment. The environment can be a mixture of electrons, protons, and heavy ions. The model requires several input parameters. Parameters intended to produce conservative risk estimates for the Samsung 8 Gb SLC NAND flash memory are given,...
Heavy ion, proton and electron single-event effect measurements of 8Gb Samsung single level NAND flash memory are reported. An increase in the heavy ion single bit upset (SBU) cross section was observed on devices that were irradiated with 60Co previously. The proton susceptibility is less than expected. No electron induced upsets were observed.
SEE measurements and TID response for 25-32 nm Micron Technology NAND flash memories are reported. Radiation results of SLC parts are compared with results from MLC and TLC parts. The TLC device showed a very poor response to TID at low dose levels.
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.