Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
The degradation of the electrical performance of 2-MeV electron-irradiated thin gate oxide FD-SOI MOSFETs fabricated on ELTRAN and UNIBOND wafers is reported. The difference of the degradation is examined by analyzing the extracted MOS-transistor parameters. The degradation of the performance is discussed taking into account the front-back gate coupling effect and the floating body effect
The degradation of the electrical performance of 2-MeV electron-irradiated thin gate oxide FD-SOI MOSFETs fabricated on ELTRAN and UNIBOND wafers is reported. The difference of the degradation is examined by analyzing the extracted MOS-transistor parameters. The degradation of the performance is discussed taking into account the front-back gate coupling effect and the floating body effect.
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.