Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
The effective masses of hole and electron in the inversion layers have been quantitatively characterized for Ge p- and n-MOSFETs, for the first time, with Shubnikov-de Haas (SdH) oscillations measurements at ultra low temperatures. It was found that the effective mass clearly increased with a larger Ns for both hole and electron in (100)/(110)/(111) Ge p and n-MOSFETs. The effectiveness and necessity...
This paper reports a high-temperature, wide gain-bandwidth SOI-CMOS transimpedance (Rm) amplifier that is well suited for application to MEMS-based impedance sensors. The amplifier was fabricated using a fully depleted 0.5-μm technology and achieves a gain-bandwidth of 8 MΩ by 1.2 MHz at room temperature while drawing 0.66 mW from a 3.3-V supply. Gain and bandwidth remain above 2 MΩ and 0.3 MHz, respectively,...
We report a novel refractive index sensor using mechanical pressure induced long period gratings in photonic crystal fiber. Sensitivity of ~10-6 was achieved for the measurand in the holey channels..
Experimental electrical property data on silicon grain boundaries (GBs) are reported on a unique sample set consisting of direct silicon bonded (110)/(100) hybrid orientation wafers using C-V, I-V, and MOS capacitance transient techniques. For the relatively clean interfacial bonded GB, the density of GB states NT is on the order of 1012 eV-1cm-2, and the charge neutral level is at ~0.53 eV from the...
The effects of proton irradiation on the performance of key devices and mixed-signal circuits fabricated in a SiGe BiCMOS IC design platform and intended for emerging lunar missions are presented. High-voltage (HV) transistors, SiGe bandgap reference (BGR) circuits, a general-purpose high input impedance operational amplifier (op amp), and a 12-bit digital-to-analog converter (DAC) are investigated...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.