Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Tungsten-based full metal gate (FMG) stacks that are equivalent to or better than metal-inserted poly-Si (MIPS) stack have been developed. These fully encapsulated FMG stacks enable borderless source/drain contacts needed for the 14 nm technology node and beyond, where the contacted gate pitch is expected to be less than 80 nm. Tungsten replaces gate salicidation with the sheet resistance ≤ 14 Ω/□...
Gate-first integration of tunable work function metal gates of different thicknesses (3-20 nm) into high-k/metal gates CMOS FinFETs was demonstrated to achieve multiple threshold voltages (VTh) for 32-nm technology and beyond logic, memory, input/output, and system-on-a-chip applications. The fabricated devices showed excellent short-channel effect immunity (drain-induced barrier lowering ~40 mV/V),...
We demonstrate a novel ??remote interfacial layer (IL) scavenging?? technique yielding a record-setting equivalent oxide thickness (EOT) of 0.42 nm using a HfO2-based MOSFET high-?? gate dielectric. Intrinsic effects of IL scaling on carrier mobility are clarified using this method. We reveal that the mobility degradation observed for La-containing high-?? is not due to the La dipole but due to the...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.