Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Developing MEMS sensors with a high strain sensing range (up to 0.6) and a stepwise sensing mechanism could enable widespread downstream applications, by allowing intimate, mechanically conformable integration with soft biological tissues. Most approaches to date focus on challenges to associate the sensing mechanism with high peak strains under large deformation. By designing and characterizing test...
Multilevel high-resistance states are achieved in TiN/HfOx/Pt resistive switching random access memory device by controlling the reset stop voltage. Impedance spectroscopy is used to study the multilevel high-resistance states. It is shown that the high-resistance states can be described with an equivalent circuit consisting of the major components $R_{s}$ , $R$ , and $C$ corresponding to the...
By using sidewall electrode technology, both record small functional TiO2 selection device (1 × 5 nm2) and HfO2 based RRAM device (1 × 3 nm2) were for the first time successfully demonstrated in this work, improving the understanding of the switching mechanism in an ultra-small, functional resistive random access memory (RRAM) device. The tunneling based low temperature back-end selection devices...
This paper reports on the sensing of large strain using a mechanically actuated switch gate and a variable resistor surface creasing test structure. Test structures with different gate and interconnect/wiring geometries have been designed, fabricated and characterised. They respond to designed strain values with a reduction in device resistivity of 11 to 12 orders of magnitude. Results from strain...
This paper proposes a direct metal patterning method on three-dimensional structures with vertical side walls. It uses a 3-D multi-height silicon shadow mask made by double-side Deep Reactive Ion Etching (DRIE). Aluminum has been successfully patterned on the top, bottom and vertical side walls of 280mum wide trench with a depth of 250mum by sequentially tilting the wafer at three different angles...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.