Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Continuous scaling down NAND FLASH toward below 2Xnm node generation will result in serious Floating Gate (FG) poly depletion due to dopant loss and significantly degrade the cell reliability performance. FG implantation (IMP) before inter-poly-dielectric (IPD) deposition was proposed in this study, but it suffered FG damage and resulted in control gate (CG) void issue. We have successfully minimized...
We report a single-poly embedded nonvolatile memory (eNVM) solution for analog trimming and code storage applications using a 0.13-μm BCDMOS process. Each cell has its own merits and demerits, depending on structure and operation methods. For analog trimming purposes, a conventional n-well coupling Fowler-Nordheim tunneling cell with a large unit cell size of 88 μm2 is used. On the other hand, a select...
We developed the new control gate (CG) material and structure in order to overcome scaling limitation beyond 20nm NAND flash cell. New CG material can achieve excellent gap-fill without void and improvement of the Gate CD Gap (GCG). And also, by using new CG material, CG depletion between floating gate (FG) can be improved. As a result, gate coupling ratio, bit-line (BL) interference and tail-cell...
A simple and low cost logic based single poly Flash memory technology, NeoFlash®, with fast programming and high reliability is demonstrated in this paper. Programming with channel hot-hole-induced hot-electron injection and erasure with uniform channel Fowler-Nordheim tunneling are utilized to achieve fast programming, high endurance and good reliability characteristics. Owing to its simple cell...
A nanocrystal (NC) memory by sol-gel spin-coating method was demonstrated. The high-density and isolated NC was formed by depositing a mixed solution of nickel tetrachloride, zirconium tetrachloride, silicon tetrachloride, and germanium tetrachloride with a post-rapid thermal annealing process. The electrical properties in terms of memory window, charge retention, program/erase speed, and endurance...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.