Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
We suggested the heterogeneously stacked oxide (HSO) for the future tunnel oxide of high density NAND flash memory. HSO has a structure of SiO2/a-Si/a-SiOx using the concept of tunnel barrier engineering. By employing HSO tunnel barrier, it was possible to fabricate the tunnel oxide, which is thicker physically and thinner electrically than the single layer tunnel oxide. The bandgap of a-SiOx can...
The improvement of device performances has been achieved successfully through OAO IPD EOT scaling, which shows that OAO IPD is applicable to sub-40nm devices which require aggressive scaling of IPD EOT. Charge loss of OAO IPD at high temperature is explained by thermionic emission of alumina traps. Trap profiles of alumina were obtained by monitoring Vth shift above 100°C. OAO IPD shows good data...
We investigated threshold voltage shifts after program pulse in charge trap flash memory by measuring drain current changes. We have found threshold voltage shifts can be characterized as a function of not only the materials of tunnel oxide, trap layer, blocking layer, but also physical parameters like device size and electrical measurement environment such as program voltage target and gate bias...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.