Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
This letter demonstrates a 22-31 GHz CMOS distributed amplifier (DA) based on high-pass transmission lines. Unlike the low-pass DA, the circuit can be smaller since it does not need extra drain bias circuits. This DA has a maximum output power of 12 dBm, a maximum OP1dB of 6.5 dBm, and a small signal gain of 6.4 dB. The chip occupies a miniature area of 0.28 mm2 including the pads and the core area...
This paper presents the design and preliminary measurements of the 64 channel electronic chip for neurobiology experiments. Chip is designed in the 180 nm technology and operates with ±0.9 V supply voltage. Preliminary measurements show the low and the high cut off frequencies may be tuned in 9 - 90 Hz and in the 1.6 - 24 kHz range respectively while the gain of the amplifier may be set either to...
We present the architecture and preliminary measurements of an ASIC for neural signal recording. The chip consists of 64 analogue channels followed by the analogue multiplexer and it is fabricated in the 180 nm CMOS technology. It consumes 220 µW per channel from ±0.9 V power supply and occupies 13 mm2 area. User is capable to modify frequency bandwidth in the 1 Hz – 60 Hz range for low cut-off frequency...
A 53 dB gain limiting amplifier for OC-192 and 10 GbE applications is developed in a 50 GHz fT SiGe SOI complimentary bipolar process, and has 5 mV pk-pk sensitivity, 1.25 V pk-pk maximum input signal, 14 ps (20/80%) rise/fall times and 450 mV pk-pk output into matched differential 50 Ohm loads, consuming 430 mW on a 3.3 V supply. Input Cherry-Hooper gain stages limit the -3 dB bandwidth to 11 GHz...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.