Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
In order to meet rapidity and reliability of leakage protection, transient zero-sequence current wave form difference characteristics between leakage line and normal line is give through theory analysis; A novel leakage line detection method using multi-correlation criterion fusion is presented. According zero sequence wave form characteristics, by D-S evidence theory, from making of leakage measures,...
The 2D model of direct drive permanent magnet wind turbine 3 MW, 660 V, 14 rpm is set up to study the magnetic field by finite element method. Based on Maxwell equations, parameters are obtained in the case of static field, no load and load transient operation. The post processing is help to validate and optimize the design of the generator.
We propose a high voltage silicon-on-insulator (SOI) LDMOS with a Buried N-layer (BN SOI) in a self-isolation SOI high-voltage integrated circuit (HVIC). The ionized donors present in the BN enhance the interface silicon field strength from 10 V/μm of the conventional P-SOI (CP SOI) to 30 V/μm. As a result the maximum electric field in the buried oxide before the adjacent SOI breaks down (named E¡)...
Normally-off power MOSFET with low Rons has been developed. IEMOSFET on 4H-SiC carbon-face wafer exhibits an extremely low Rons of 1.8 mOmegacm2 with a blocking voltage of 660 V. The effective channel mobility of this device is 90 cm2/Vs which corresponds to the channel resistance of 0.8 mOmegacm2. A step-down converter was fabricated with the normally-off IEMOSFET and SBD, and the operation of 400...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.