Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
We present diagnostics of LT GaAs/InP structures by micro-Raman spectroscopy, microphotoluminescence and SIMS methods. Bevelled form of the samples was used for the study. The thickness of the epitaxial LT GaAs layer with presence of high density of antisites AsGaAsand As excess was determined. Between InP substrate and LT GaAs layer an inter facial layer composed from InAs, InO and C was detected...
We have investigated the luminescence and structural properties of as-grown and thermally annealed lattice-matched GaInNAs-on-GaAs epilayer, grown by molecular-beam epitaxy. The study has been done by means of photoluminescence (PL) in conjunction with Raman spectroscopy and X-ray diffraction measurements. We have found that besides the near band-edge PL emission a broad emission band can be seen...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.