Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
In this paper the high voltage (220 V) lateral Schottky barrier diodes (SBD) based on AlGaN/GaN heterostructure grown by Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) on silicon substrate are presented. A low turn-ON voltage (<0.7 V), low specific ON-resistance (RON, SP) (1.79 mΩ·cm2) and a high reverse breakdown voltage (UBV) (220 V) were simultaneously achieved in devices with 7μm anode-cathode...
In this letter, we present AlGaN/GaN lateral Schottky barrier diodes on silicon with recessed anodes and dual field plates. A low specific ON-resistance $R_{{\rm ON, SP}}$ (5.12 $\text{m}\Omega \cdot \textrm {cm}^{2}$ ), a low turn-ON voltage (<0.7 V), and a high reverse breakdown voltage (BV) (>1.9 kV) were simultaneously achieved in devices with a 25-$\mu \text{m}$ anode/cathode distance,...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.